Durante nuestra visita a la ciudad de Nanchang, en la provincia de Jiangxi, China, conocimos la empresa Lattice Power S.A. proveedora e innovadora de fuentes de luz LED de alta potencia, que provee principalmente a marcas fotónicas globales productos y soluciones de epitaxia, chips, encapsulados y módulos LED de alta calidad.
Fundadada en 2006, esta empresa está posicionada como un proveedor destacado e innovador de fuentes de luz LED de alta potencia; suministra principalmente obleas epitaxiales LED, chips, encapsulados, así como productos y soluciones de módulos de alta calidad a clientes globales de marcas de optoelectrónica.
Sus productos se aplican en una amplia variedad de campos, que incluyen terminales inteligentes móviles, equipos de alta gama como dispositivos de curado industrial y de automoción, sistemas de monitorización de seguridad, iluminación de ciudades inteligentes y realidad virtual.
Está conformada por un equipo internacional de innovación, cuenta con cuatro talentos de nivel nacional y ha asumido el proyecto ’Material epitaxial de GaN sobre sustrato de silicio.
La empresa fue la primera en el mundo en lograr la industrialización y aplicación de la tecnología de GaN sobre sustrato de silicio en el ámbito de los LED, obteniendo el primer premio del Premio Nacional de Invención Tecnológica en 2015, y al mismo tiempo logró avances en la tecnología de chips Micro LED de tres colores básicos sobre sustrato de silicio, situándose a la vanguardia internacional.
Lattice Power ha reunido un equipo internacional de innovación formado por más de diez talentos de alto nivel procedentes de Estados Unidos, Corea del Sur y otros países. Además, cuatro expertos de nivel nacional también se han incorporado a la empresa.
Con un equipo de investigación tan potente, ha asumido múltiples proyectos dentro del Programa 863 de China (también conocido como HTRDP, el Programa de Investigación y Desarrollo de Alta Tecnología), como «Tecnologías clave para el crecimiento de materiales epitaxiales de GaN y la fabricación de chips sobre sustratos de silicio», junto con otras iniciativas nacionales, provinciales y municipales.
Posee varias plataformas de innovación a nivel nacional y provincial, entre las que destaca el Centro Nacional-Local Conjunto de Investigación en Ingeniería para la Tecnología de Fabricación de Dispositivos Electrónicos de GaN sobre Silicio, Lattice Power demuestra una profunda base técnica y una capacidad continua de innovación.
La empresa fue la primera del mundo en industrializar y aplicar la tecnología GaN sobre silicio en el ámbito de los LED. También ha abierto nuevos caminos en la tecnología de chips Micro LED de tres colores primarios sobre silicio, alcanzando niveles internacionalmente avanzados en materiales para dispositivos de potencia GaN sobre silicio. Estas hazañas extraordinarias le valieron a la empresa el Primer Premio del Premio Nacional de Invención Tecnológica.
Su capacidad de producción arroja más de mil millones de fuentes de luz LED anualmente.
